تغییر درصد اتمی cu در نانوسیم های آلیاژی nicu در اثر تغییر غلظت الکترولیت و زمان خاموشی و تاثیر آن بر خواص مغناطیسی و ساختاری آن ها

نانوسیم های مغناطیسی در زمینه های مختلفی مانند حافظه های مغناطیسی عمودی، مقاومت مغناطیسی بزرگ (gmr)، حسگرهای مغناطیسی و بسیاری دیگر کاربرد دارند. تاکنون نانوسیم های مغناطیسی مختلفی شامل نانوسیم های تک عنصری و آلیاژی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به اثرات مطلوب افزودن عناصر غیر مغناطیسی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها، ساخت نانوسیم های آلیاژی و بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری آن ها مورد توجه قرار گرفت. در این تحقیق، ابتدا نانو حفره های منظم با آرایش شش گوشی با قطر 30 نانومتر و فاصله بین حفره ای 100 نانومتر، با روش آندایز دو مرحله ای در اسید اکسالیک 0/3 مولار و ولتاژ 40 ولت ساخته شدند. سپس نانوسیم های nicu به روش الکترونهشت پالس متناوب داخل نانوحفره ها رشد داده شدند. در ساخت نانوسیم ها از سه الکترولیت با غلظت ثابت 0/3 مولار نیکل و غلظت های مس 0/01، 0/005 و 0/002 مولار استفاده شد و تأثیر تغییر غلظت مس و افزایش زمان خاموشی بین پالس ها بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها مورد بررسی قرار گرفت. همچنین اثر تابکاری بر خواص مغناطیسی و ساختاری نانوسیم ها مورد توجه قرار گرفت. درصد آلیاژی نانوسیم ها توسط آنالیز xrf و خواص مغناطیسی و ساختاری آن ها به ترتیب توسط آنالیزهایvsm و xrd بررسی شد. نتایج حاصل از آنالیز xrf نشان می دهد که در هر سه غلظت با افزایش زمان خاموشی درصد اتمی نیکل کاهش و درصد اتمی مس افزایشمی یابد. حلقه های پسماند مغناطیسی نشان می دهند که با افزایش زمان خاموشی مغناطش اشباع و وادارندگی کاهش می یابد. بررسی طیف پراش پرتو x، در غلظت 0/002مولار مس، نشان می دهد که در اثر تابکاری 1- شدت قله های نیکل کاهش یافتهو 2- قله های نیکل آمورف تر شده اند.در واقع حضور عنصر غیر مغناطیسی مس در ساختار مغناطیسی نیکل باعث بروز این رخدادها و کاهش خواص مغناطیسی این نانوسیم ها شده است. در این پژوهش از آنالیز forc نیز استفاده شد تا خواص مغناطیسی نانوسیم ها با دقت بیشتری مطالعه شود.